參數(shù)資料
型號: K8D6316UBM-YI08
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
元件分類: DRAM
英文描述: 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
中文描述: 6400位(800萬x8/4M x16)的雙銀行NOR閃存
文件頁數(shù): 39/48頁
文件大小: 767K
代理商: K8D6316UBM-YI08
NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
39
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
CE to BYTE Switching Low or High
t
ELFL
/t
ELFH
-
5
-
5
-
5
ns
BYTE Switching Low to Output HIGH-Z
t
FLQZ
-
25
-
25
-
30
ns
BYTE Switching High to Output Active
t
FHQV
-
25
-
25
-
35
ns
OE
t
FLQZ
CE
DQ0-DQ7
BYTE
WE
BYTE Timing Diagram for Write Operation
The falling edge of the last WE signal
CE
BYTE
t
HOLD
(t
AH
)
DQ15/A-1
t
ELFL
Address Input (A-1)
t
SET
(t
AS
)
Word to Byte Timing Diagram for Read Operation
Byte to Word Timing Diagram for Read Operation
Data Output
(DQ0-DQ7)
DQ8-DQ14
Data Output
(DQ8-DQ14)
Data Output
(DQ15)
OE
t
FHQV
CE
DQ0-DQ7
BYTE
DQ15/A-1
t
ELFH
Data Output
(DQ15)
DQ8-DQ14
Address Input
(A-1)
Data Output
(DQ8-DQ14)
t
CE
t
CE
Data Output
(DQ0-DQ7)
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PDF描述
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