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參數(shù)資料
| 型號： | K9E2G08U0M-P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M x 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 18/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 888K |
| 代理商： | K9E2G08U0M-P |
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FLASH MEMORY
18
K9E2G08U0M
Preliminary
* Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN n
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
* Serial access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
OH
t
REA
t
REH
t
REA
t
OH
t
RHZ*
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
I/Ox
I/Ox
t
CHZ*
t
RHZ*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208D0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0A-P | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| K9F1208D0A-Y | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| K9F1216D0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216D0A-P | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-V | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208B0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208B0C-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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