參數(shù)資料
型號(hào)： K9E2G08U0M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
中文描述： 256M x 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 19/38頁(yè)
文件大?。?/td> 888K
代理商： K9E2G08U0M
FLASH MEMORY
19
K9E2G08U0M
Preliminary
t
CHZ
t
OH
* Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
X
70h
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
OH
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
READ1 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
Busy
≈
00h or 01h A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
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R
≈
t
RC
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RHZ
t
OH
t
RR
Dout m
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RB
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CRY
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WC
≈
≈
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A
25
~ A
27
t
CEH
N Address
t
CHZ
t
RHZ
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9E2G08U0M-V 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-Y 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-F 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-P 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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K9E2G08U0M-P 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-V 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory
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