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參數(shù)資料
| 型號： | K9E2G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M x 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 888K |
| 代理商： | K9E2G08U0M |
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FLASH MEMORY
20
K9E2G08U0M
Preliminary
Read1 Operation
(Intercepted by CE)
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
Busy
≈
00h or 01h
A
0
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24
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Dout N+1
Dout N+2
Page(Row)
Address
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Column
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RC
Read2 Operation
(Read One Page)
CE
CLE
R/B
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27
Selected
Row
Start
address M
512
16
≈
≈
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≈
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-F | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-P | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208D0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-V | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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