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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208D0A-P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| 中文描述： | 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 15/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 748K |
| 代理商： | K9F1208D0A-P |
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FLASH MEMORY
15
K9F1208D0A
K9F1208U0A
K9F1216D0A
K9F1216U0A
AC CHARACTERISTICS FOR OPERATION
NOTE
: 1. If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into Busy for maximum 5us.
2. To break the sequential read cycle, CE must be held high for longer time than tCEH.
3. The time to Ready depends on the value of the pull-up resistor tied R/B pin.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9F12XXD0A K9F12XXU0A K9F12XXD0A K9F12XXU0A
Data Transfer from Cell to Register
t
R
-
-
12
12
μ
s
ALE to RE Delay
t
AR
10
10
-
-
ns
CLE to RE Delay
t
CLR
10
10
-
-
ns
Ready to RE Low
t
RR
20
20
-
-
ns
RE Pulse Width
t
RP
25
25
-
-
ns
WE High to Busy
t
WB
-
-
100
100
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
50
-
-
ns
RE Access Time
t
REA
-
-
30
30
ns
CE Access Time
t
CEA
-
-
45
45
ns
RE High to Output Hi-Z
t
RHZ
-
-
30
30
ns
CE High to Output Hi-Z
t
CHZ
-
-
20
20
ns
RE or CE High to Output hold
t
OH
15
15
-
-
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
15
-
-
ns
Output Hi-Z to RE Low
t
IR
0
0
-
-
ns
WE High to RE Low
t
WHR
60
60
-
-
ns
Device resetting time(Read/Program/Erase)
t
RST
-
-
5/10/500
(1)
5/10/500
(1)
μ
s
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9F1208U0A-
Y,P,V,F or
K9F1208D0A-
Y,P only
Last RE High to Busy(at sequential read)
t
RB
-
100
ns
CE High to Ready(in case of interception by CE at read)
t
CRY
-
50 +tr(R/B)
(3)
ns
CE High Hold Time(at the last serial read)
(2)
t
CEH
100
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208D0A-Y | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| K9F1216D0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216D0A-P | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216D0A-Y | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208X0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208D0A-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0B-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0B-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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