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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208D0A-P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| 中文描述： | 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 748K |
| 代理商： | K9F1208D0A-P |
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FLASH MEMORY
21
K9F1208D0A
K9F1208U0A
K9F1216D0A
K9F1216U0A
System Interface Using CE don’t-care.
For an easier system interface, CE may be inactive during the data-loading or sequential data-reading as shown below. The internal
528byte 1264word page registers are utilized as separate buffers for this operation and the system design gets more flexible. In addi-
tion, for voice or audio applications which use slow cycle time on the order of u-seconds, de-activating CE during the data-loading and
reading would provide significant savings in power consumption.
CE
WE
t
WP
t
CH
t
CS
Start Add.(4Cycle)
80h
Data Input
CE
CLE
ALE
WE
I/O
X
Data Input
CE don’t-care
≈
≈
10h
Start Add.(4Cycle)
00h
CE
CLE
ALE
WE
I/O
X
Data Output(sequential)
CE don’t-care
≈
R/B
t
R
RE
t
CEA
out
t
REA
CE
RE
I/O
X
Figure 7. Program Operation with CE don’t-care.
Figure 8. Read Operation with CE don’t-care.
On K9F1208U0A-Y,P,V,F or K9F1208D0A-Y,P
CE must be held
low during tR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208D0A-Y | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| K9F1216D0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216D0A-P | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216D0A-Y | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208X0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208D0A-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0B-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0B-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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