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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1208U0B-D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/45頁(yè) |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K9F1208U0B-D |
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FLASH MEMORY
44
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 3.3V, Ta = 25
°
C , C
L
= 100pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
100
tf
200
300
400
3.6
3.6
3.6
3.6
2.4
1.2
0.8
0.6
Rp(min, 1.8V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
1.85V
3mA
+
Σ
I
L
where I
L
is the sum of the input currents of all devices tied to the R/B pin.
Rp(max) is determined by maximum permissible limit of tr
Rp value guidance
Rp(min, 3.3V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
3.2V
8mA
+
Σ
I
L
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
30
tf
60
90
120
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
0.85
0.57
0.43
Rp(min, 2.65V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
2.5V
3mA
+
Σ
I
L
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 2.65V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
30
tf
60
90
120
2.3
2.3
2.3
2.3
2.3
1.1
0.75
0.55
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208U0B-V | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
| K9F1208Q0B | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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