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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208U0B-D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 45/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K9F1208U0B-D |
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FLASH MEMORY
45
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.1V(1.8V device), 1.8V(2.65V device), 2V(3.3V device). WP pin provides hard-
ware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down. A recovery time of minimum 10
μ
s is
required before internal circuit gets ready for any command sequences as shown in Figure 24. The two step command sequence for
program/erase provides additional software protection.
Figure 24. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
WE
Data Protection & Power-up sequence
1.8V device : ~ 1.5V
2.65V device : ~ 2.0V
3.3V device : ~ 2.5V
1.8V device : ~ 1.5V
2.65V device : ~ 2.0V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208U0B-V | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
| K9F1208Q0B | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208U0B-JIB0000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 FBGA - Trays |
| K9F1208U0B-JIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 FBGA - Tape and Reel |
| K9F1208U0B-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208U0B-PCB0000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F1208U0B-PCB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 15US 48TSOP-I - Tape and Reel |
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