- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373087 > K9F1G16D0M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1G16D0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M的× 8位/ 64米× 16位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | K9F1G16D0M |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)當(dāng)前第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)
FLASH MEMORY
30
K9F1G08D0M
K9F1G08U0M
K9F1G16Q0M
K9F1G16D0M
K9F1G16U0M
K9F1G08Q0M
4th ID Data
ITEM
Description
I/O7
I/O6
I/O5 I/O4
I/O3
I/O2
I/O1 I/O0
Page Size
(w/o redundant area )
1KB
2KB
Reserved
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Blcok Size
(w/o redundant area )
64KB
128KB
256KB
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Redundant Area Size
( byte/512byte)
8
16
0
1
Organization
x8
x16
0
1
Serial Access minimum
50ns
25ns
Reserved
Reserved
0
1
0
1
0
0
1
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K91G08Q0M | CONTACT |
| K9F1G16Q0M | 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808U0 | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808U0A | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G16Q0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。