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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1G16D0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M的× 8位/ 64米× 16位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | K9F1G16D0M |
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FLASH MEMORY
39
K9F1G08D0M
K9F1G08U0M
K9F1G16Q0M
K9F1G16D0M
K9F1G16U0M
K9F1G08Q0M
t
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 3.3V, Ta = 25
°
C , C
L
= 100pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
100
tf
200
300
400
3.6
3.6
3.6
3.6
2.4
1.2
0.8
0.6
Rp(min, 1.8V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
1.85V
3mA
+
Σ
I
L
where I
L
is the sum of the input currents of all devices tied to the R/B pin.
Rp(max) is determined by maximum permissible limit of tr
Rp value guidance
Rp(min, 3.3V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
3.2V
8mA
+
Σ
I
L
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
30
tf
60
90
120
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
0.85
0.57
0.43
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 2.65V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
30
tf
60
90
120
2.3
2.3
2.3
2.3
2.3
1.1
0.75
0.55
Rp(min, 2.65V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
2.5V
3mA
+
Σ
I
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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