參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1G16U0M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 128M的× 8位/ 64米× 16位NAND閃存
文件頁數(shù)： 17/40頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： K9F1G16U0M
FLASH MEMORY
17
K9F1G08D0M
K9F1G08U0M
K9F1G16Q0M
K9F1G16D0M
K9F1G16U0M
K9F1G08Q0M
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(1)
(2)
(3)
(32)
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Data register
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Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(2)
(32)
(3)
(1)
(64)
Data register
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NAND Flash Technical Notes
(Continued)
Addressing for program operation
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1G08D0M Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; Number of Contacts:37; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
K9F1G16D0M 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F1G08Q0M 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K91G08Q0M CONTACT
K9F1G16Q0M 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F1G16U0M-PCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-PIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G8U0C-PIB0T00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 FBGA - Trays
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