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參數資料
| 型號： | K9F2G08Q0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 36/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | K9F2G08Q0M |
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FLASH MEMORY
36
Preliminary
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
Power-On Auto-Read
The device is designed to offer automatic reading of the first page without command and address input sequence during power-on.
An internal voltage detector enables auto-page read functions when Vcc reaches about 1.8V. PRE pin controls activation of auto-
page read function. Auto-page read function is enabled only when PRE pin is tied to V
cc.
Serial access may be done after power-on
without latency. Power-On Auto Read mode is available only on 3.3V device(K9F2GXXU0M).
Figure 16. Power-On Auto-Read
(3.3V device only)
V
CC
CE
CLE
I/O
X
ALE
RE
WE
1st
~ 1.8V
PRE
R/B
2nd
3rd
....
n th
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
t
R
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F2G16Q0M | FLASH MEMORY |
| K9F5608D0C | TV 37C 37#16 PIN RECP |
| K9F5616D0C | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-D | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-H | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K9F2G08R0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F2G08R0A-J | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F2G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F2G08U0A-I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F2G08U0A-IIB0T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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