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參數資料
| 型號： | K9F5608U0A-YIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 79C 79#22D PIN RECP |
| 中文描述： | 32M的× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數： | 28/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 610K |
| 代理商： | K9F5608U0A-YIB0 |
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K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0
FLASH MEMORY
28
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 2V. WP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down and recovery time of minimum 1
μ
s is required before internal circuit gets ready for any command
sequences as shown in Figure 13. The two step command sequence for program/erase provides additional software protection.
Figure 13. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
WE
Data Protection & Powerup sequence
~ 2.5V
~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F6408U0C-T | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0C-V | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0C | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208D0C | TV 37C 37#16 SKT RECP |
| K9K1216Q0C | SCSI 2 MALE-MALE 3 FT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K9F5608U0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-FCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-FIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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