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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F5608U0C-P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5608U0C-P |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
8
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
256Word
8 Word
Figure 2-2. K9F5616X0C (X16) ARRAY ORGANIZATION
NOTE
: Column Address : Starting Address of the Register.
* L must be set to "Low".
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
I/O8 to 15
L*
L*
L*
1st Cycle
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
2nd Cycle
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
3rd Cycle
A
17
A
18
A
19
A
20
A
21
A
22
A
23
A
24
Page Register
(=256 Words)
64K Pages
(=2,048 Blocks)
256 Word
16 bit
8 Word
1 Block =32 Pages
= (8K + 256) Word
I/O 0 ~ I/O 15
1 Page = 264 Word
1 Block = 264 Word x 32 Pages
= (8K + 256) Word
1 Device = 264Words x 32Pages x 2048 Blocks
= 264 Mbits
Column Address
Row Address
(Page Address)
Page Register
Figure 1-2. K9F5616X0C (X16) FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
V
CC
V
SS
X-Buffers
Latches
& Decoders
256M + 8M Bit
NAND Flash
ARRAY
Command
Register
(256 + 8)Word x 65536
Y-Gating
Page Register & S/A
I/O Buffers & Latches
Y-Buffers
Latches
& Decoders
Control Logic
& High Voltage
Generator
Global Buffers
Output
Driver
A
9
- A
24
A
0
- A
7
Command
CE
RE
WE
WP
I/0 0
I/0 15
V
CC/
V
CCQ
V
SS
CLE ALE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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