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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F5616U0C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/39頁(yè) |
| 文件大小： | 655K |
| 代理商： | K9F5616U0C |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
23
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
PAGE PROGRAM OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
80h
70h
I/O
0
Din
N
1 up to m Data
Serial Input
Din
N+1
Din
m
10h
Sequential Data
Input Command
Column
Address
Page(Row)
Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
≈
≈
≈
X8 device : m = 528 byte
X16 device : m = 264 word
N Address
SEQUENTIAL ROW READ OPERATION
(only for K9F5608U0C-Y,P or K9F5608U0C-V,F)
CE
CLE
R/B
I/Ox
WE
ALE
RE
00h
M
Output
Dout
N
Dout
N+1
Dout
N+2
Dout
527
Dout
0
Dout
1
Dout
2
Dout
527
M+1
Output
N
≈
≈
≈
≈
Busy
Busy
Ready
≈
≈
I/Ox
Col. Add
Row Add1
Row Add2
Col. Add
Row Add1
Row Add2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616U0C-D | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-H | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-P | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-Y | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-DCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616U0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0C-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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