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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9K1216D0C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 953K |
| 代理商： | K9K1216D0C |
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FLASH MEMORY
19
K9K1216D0C
K9K1216U0C
K9K1208D0C
K9K1208U0C
K9K1208Q0C
K9K1216Q0C
System Interface Using CE don’t-care.
For an easier system interface, CE may be inactive during the data-loading or sequential data-reading as shown below. The internal
528byte(x8 device), 264word(x16 device) page registers are utilized as seperate buffers for this operation and the system design gets
more flexible. In addition, for voice or audio applications which use slow cycle time on the order of u-seconds, de-activating CE during
the data-loading and reading would provide significant savings in power consumption.
CE
WE
t
WP
t
CH
t
CS
Start Add.(4Cycle)
80h
Data Input
CE
CLE
ALE
WE
Data Input
CE don’t-care
≈
≈
10h
Start Add.(4Cycle)
00h
CE
CLE
ALE
WE
Data Output(sequential)
CE don’t-care
≈
R/B
t
R
RE
Figure 6. Program Operation with CE don’t-care.
Figure 7. Read Operation with CE don’t-care.
I/Ox
I/Ox
t
CEA
out
t
REA
CE
RE
I/O
0
~
15
t
OH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K1208Q0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1208U0C | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08B0B | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08R0B | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08U0B | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K1216Q0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1216U0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G08R0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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