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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216D2M-DIB |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
40
Device Bus Operations
Note : L=V
IL
(Low), H=V
IH
(High), X=Don’t Care.
Operation
CE
OE
WE
ADD0~15
DQ0~15
RP
CLK
AVD
Standby
H
X
X
X
High-Z
H
X
X
Warm Reset
X
X
X
X
High-Z
L
X
X
Asynchronous Write
L
H
L
Add. In
Data In
H
L
Asynchronous Read
L
L
H
Add. In
Data Out
H
L
Load Initial Burst Address
L
H
H
Add. In
X
H
Burst Read
L
L
H
X
Burst Data
Out
H
X
Terminate Burst Read
Cycle
H
X
H
X
High-Z
H
X
X
Terminate Burst Read
Cycle via RP
X
X
X
X
High-Z
L
X
X
Terminate Current Burst
Read Cycle and Start
New Burst Read Cycle
H
H
Add. In
High-Z
H
Table 4.
Identification data description
Address
Data Out
0000h
Manufacturer ID
00ECh
0001h
Device ID
refer to table 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5(6)000 | 制造商:Samsung 功能描述:KFG1216Q2A-DEB5(6)000 - Trays |
| KFG1216Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
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