- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373130 > KFG1216D2M-DIB (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216D2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 92/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216D2M-DIB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁當(dāng)前第92頁第93頁
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
92
0.10 MAX
0
±
0
0.32
±
0.05
0.9
±
0.10
63-FBGA-9.50x12.00
Units:millimeters
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
A
B
C
D
E
F
G
H
0.80x9=7.20
A
0
63-
0.45
±
0.05
4
0
B
0.20
M
A B
(Datum A)
(Datum B)
2
5
4
3
1
6
3.60
#A1 INDEX
9.50
±
0.10
1
±
0
#A1
1
±
0
0.80
9.50
±
0.10
1
±
0
OneNAND512 PACKAGE DIMENSIONS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5(6)000 | 制造商:Samsung 功能描述:KFG1216Q2A-DEB5(6)000 - Trays |
| KFG1216Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。