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參數資料
| 型號： | KFG1216D2M-DID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 34/93頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | KFG1216D2M-DID |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
34
7.22 Controller Status Register (R): F240h, default=0000h
CB
(Controller Busy) : this bit shows the overall internal status of OneNAND
0=ready, 1=busy
FC
(Fault Check): this bit shows whether host loads data from NAND Flash array into locked BootRAM or programs/erases locked block of
NAND Flash array or put invalid command into the device.
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CB
FC
RB
WB
EB
WRc
Reserv
ed(0)
Reserv
ed(0)
RSTB
Reserved(000000)
TO
(0)
FC
Fault Check Result
0
No fault
1
Fault
WRc
Current Sector/Page Program/CopyBack.
Program/Erase Result
0
Pass
1
Fail
WRc
(Current Sector/Page Write Result): this bit shows current sector/page Program/Copy Back Program/Erase result of flash memory.
TO
(Time Out): time out for load/program/copy back program/erase
0=no time out(fixed)
RB
(Read Busy) : this bit shows the Load operation status
0=ready(default), 1=busy
WB
(Write Busy) : this bit shows the Program operation status
0=ready(default), 1=busy
EB
(Erase Busy) : this bit shows the Erase operation status
0=ready(default), 1=busy
RSTB
(Reset Busy) : this bit shows the Reset operation status
0=ready(default), 1=busy
7.19 System Configuration 2 Register : F222h
: N/A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
| KFG1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5(6)000 | 制造商:Samsung 功能描述:KFG1216Q2A-DEB5(6)000 - Trays |
| KFG1216Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1216Q2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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