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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2M-DID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 85/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216D2M-DID |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
85
Figure 33. Asynchronous Write Mode(AVD toggling)
Case 2 : AVD is synchronized with CE
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
AVD
CE
WE
OE
t
CS
Valid WD
t
DS
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
DH
VA
RDY
Hi-Z
Hi-Z
A0-A15
DQ0-DQ15
CLK
V
IL
t
CH2
t
AWES
t
AH
VA
t
CH2
t
CS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
| KFG1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5(6)000 | 制造商:Samsung 功能描述:KFG1216Q2A-DEB5(6)000 - Trays |
| KFG1216Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1216Q2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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