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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-FID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 38/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-FID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
38
This register is reserved for future use.
2.8.14 Start Address6 Register F105h
This register is reserved for future use.
2.8.15 Start Address7 Register F106h
This register is reserved for future use.
2.8.16 Start Address8 Register F107h (R/W)
This Read/Write register describes the NAND Flash start page address in a block for a page load, copy back program, or program
operation and the NAND Flash start sector address in a page for a load, copy back program, or program operation.
F107h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved (00000000)
FPA
FSA
Start Address8 Information
Item
Description
Default Value
Range
FPA
NAND Flash Page Address
000000
000000 ~ 111111,
6 bits for 64 pages
FSA
NAND Flash Sector Address
00
00 ~ 11,
2 bits for 4 sectors
2.8.13 Start Address5 Register F104h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216U2A | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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