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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-FID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 99/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-FID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
6.7 Asynchronous Write
FLASH MEMORY
99
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
CE
WE
OE
RP
A0-A15
t
CS
DQ0-DQ15
Valid WD
t
DS
RDY
VA
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
DH
t
AWES
VA
t
AH
Hi-Z
Hi-Z
CLK
V
IL
t
CH
t
CS
See AC Characteristics Table 5.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216U2A | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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