參數(shù)資料
型號： KFG1G16D2M-DID5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 79/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFG1G16D2M-DID5
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
79
SWITCHING WAVEFORMS
NOTE:
In order to avoid a bus conflict the OE signal is enabled on the next rising edge after AVD is going high.
5 cycles for initial access shown.
BRL=4
t
CES
t
AVDS
t
AVDH
t
ACS
t
ACH
t
IAA
t
BA
t
BDH
t
CLK
CE
CLK
AVD
OE
DQ0-DQ15
A0-A15
≈
≈
≈
≈
≈
D6
D7
D0
D1
D2
D3
D7
t
RDYA
Figure 27. Continuous Linear Burst Mode with Wrap Around
t
OE
Figure 26. 8 Word Linear Burst Mode with Wrap Around
t
CEZ
t
OEZ
D0
t
CLKH
t
CLKL
t
RDYO
t
CER
5 cycles for initial access shown.
BRL=4
t
CES
t
AVDS
t
AVDH
t
ACS
t
ACH
t
IAA
t
BA
t
BDH
t
CLK
Hi-Z
CE
CLK
AVD
OE
DQ0-DQ15
RDY
A0-A15
≈
≈
≈
≈
≈
t
RDYS
Da
Da+1
Da+2
Da+3
Da+4
Da+5
Da+n
t
RDYA
t
OE
t
CEZ
t
OEZ
Da+n+1
Hi-Z
t
RDYO
t
CER
Hi-Z
RDY
≈
t
RDYS
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G16D2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16D2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1216U2M FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG1G16D2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2A-DEB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG1G16Q2A-DEB6000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG1G16Q2A-DEB8000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA(10X13) - Bulk
KFG1G16Q2B-DEB8000 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 64M x 16bit 8ns 63-Pin FBGA Tray
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