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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16D2M-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 86/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1G16D2M-DID5 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
86
Figure 34. Asynchronous Write Mode(AVD tied to CE)
Case 3 : AVD is tied to CE
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
CE
or
AVD
WE
OE
t
CS
Valid WD
t
DS
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
DH
VA
RDY
Hi-Z
Hi-Z
A0-A15
DQ0-DQ15
CLK
V
IL
t
CH2
t
AWES
t
AH
VA
t
CH2
t
CS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1216U2M | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA(10X13) - Bulk |
| KFG1G16Q2B-DEB8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 64M x 16bit 8ns 63-Pin FBGA Tray |
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