- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄373129 > KFG1G16Q2M-DID (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1G16Q2M-DID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 113/125頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DID |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)當(dāng)前第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
113
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
Note: 1) Bootcode copy operation starts 400us later than POR activation.
The system power should reach Vcc after POR triggering level(typ. 1.5V) within 400us for valid boot code data.
2) 1K bytes Bootcode copy takes 70us(estimated) from sector0 and sector1/page0/block0 of NAND Flash array to BootRAM.
Host can read Bootcode in BootRAM(1K bytes) after Bootcode copy completion.
3) INT register goes ‘Low’ to ‘High’ on the condition of ‘Bootcode-copy done’ and RP rising edge.
If RP goes ‘Low’ to ‘High’ before ‘Bootcode-copy done’, INT register goes to ‘Low’ to ‘High’ as soon as ‘Bootcode-copy done’
System Power
Sleep
Bootcode copy
Idle
Bootcode - copy done
POR triggering level
3)
2)
RP
INT
OneNAND
Operation
0 (default)
1
IOBE bit
1 (default)
INTpol bit
High-Z
1)
INT bit
0 (default)
1
6.11 Cold Reset Timing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DID | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2C-AIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 1Gbit 64M x 16bit 76ns/70ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG1G16U2D-HIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KFG1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。