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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1G16Q2M-DID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 47/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DID |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
47
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
This Read/Write register describes the NAND Flash destination block address which will be copy back programmed.
F102h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(000000)
FCBA
Device
Number of Block
FBA
1Gb
1024
FCBA[9:0]
Start Address3 Information
Register Information
Description
FCBA
NAND Flash Copy Back Block Address
2.8.12 Start Address4 Register F103h (R/W)
This Read/Write register describes the NAND Flash destination page address in a block and the NAND Flash destination sector
address in a page for copy back programming.
F103h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(00000000)
FCPA
FCSA
Start Address4 Information
Item
Description
Default Value
Range
FCPA
NAND Flash Copy Back Page
Address
000000
000000 ~ 111111,
6 bits for 64 pages
FCSA
NAND Flash Copy Back Sector
Address
00
00 ~ 11,
2 bits for 4 sectors
2.8.11 Start Address3 Register F102h (R/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DID | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2C-AIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 1Gbit 64M x 16bit 76ns/70ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG1G16U2D-HIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KFG1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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