參數(shù)資料
型號： KFG2816D1M-PEB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND SPECIFICATION
中文描述： OneNAND的規(guī)格
文件頁數(shù)： 80/87頁
文件大?。?/td> 1175K
代理商： KFG2816D1M-PEB
OneNAND128
FLASH MEMORY
80
Reset
NOTE:
These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and
pull-down resistor value. Please refer to page 66 and 67.
Parameter
Symbol
KFG2816X1M
Unit
Min
Max
RP & Reset Command Latch(During Load Routines) to INT High (Note)
t
RST
-
10
μ
s
RP & Reset Command Latch(During Program Routines) to INT High (Note)
t
RST
-
20
μ
s
RP & Reset Command Latch(During Erase Routines) to INT High (Note)
t
RST
-
500
μ
s
RP & Reset Command Latch(NOT During Internal Routines) to Read Mode (Note)
t
RST
-
10
μ
s
INT High to Read Mode (Note)
t
Ready
200
-
ns
RP Pulse Width
t
RP
200
-
ns
Figure 37. Reset Timing
SWITCHING WAVEFORMS
CE, OE
RP
t
RP
t
Ready
t
RST
INT bit
AVD
BP or F220h
INT bit
Ai
WE
CE
Hot Reset
t
RST
DQi
00F0h
or 00F3h
Warm Reset
OE
t
Ready
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PDF描述
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