參數(shù)資料
型號： KFG2816U1M-PED
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND SPECIFICATION
中文描述： OneNAND的規(guī)格
文件頁數(shù)： 84/87頁
文件大?。?/td> 1175K
代理商： KFG2816U1M-PED
OneNAND128
FLASH MEMORY
84
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
ECD = Erase Command
EMA = Address of memory to be erased
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Erase Command Sequence (last two cycles)
A0:A15
WE
CE
t
DS
t
DH
t
CH
CA
SA
SA
ProIn
Complete
ECD
EMA
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Status Data
Figure 40. Block Erase Operations
SWITCHING WAVEFORMS
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
CLK
V
IL
Erase Operation
≈
≈
≈
≈
AVD
t
AAVDH
t
AAVDS
t
BERS
INT
t
AVDP
t
VLWH
t
WEA
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