參數(shù)資料
型號(hào)： KFH2G16U2M-DID5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 101/125頁
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFH2G16U2M-DID5
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
101
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Note 1. CE should be VIH for RDY. IOBE should be ’0’ for INT.
Note 2. Icc active for Host access
Note 3. ICC active for Internal operation. (without host access)
Note 4. Vccq is equivalent to Vcc-IO
Parameter
Symbol
Test Conditions
1.8V device
Unit
Min
Typ
Max
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
Single
- 1.0
-
+ 1.0
μ
A
DDP
-2.0
-
+ 2.0
QDP
-4.0
-
+ 4.0
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
,
CE or OE=V
IH
(Note 1)
Single
- 1.0
-
+ 1.0
μ
A
DDP
-2.0
-
+ 2.0
QDP
-4.0
-
+ 4.0
Active Asynchronous Read Cur-
rent (Note 2)
I
CC1
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
mA
Active Burst Read Current (Note
2)
I
CC2
CE=V
IL
, OE=V
IH
54Mhz
-
12
20
mA
1MHz
-
3
4
mA
54Mhz
(DDP/
QDP)
-
17
22
mA
1MHz
(DDP/
QDP)
-
3
4
mA
Active Write Current (Note 2)
I
CC3
CE=V
IL
, OE=V
IH
Single
-
8
15
mA
DDP
-
13
20
mA
Active Load Current (Note 3)
I
CC4
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
30
40
mA
Active Program Current (Note 3)
I
CC5
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
25
30
mA
Active Erase Current (Note 3)
I
CC6
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
20
25
mA
Multi Block Erase Current (Note
3)
I
CC7
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
, 64blocks
-
20
25
mA
Standby Current
I
SB
CE= RP=V
CC
±
0.2V
Single
-
10
50
μ
A
DDP
-
20
100
QDP
-
40
180
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.4
V
Input High Voltage (Note4)
V
IH
-
V
CCq
-0.4
-
V
CCq
+0.
4
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
, V
CCq
=V
CCqmin
-
-
0.2
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
, V
CCq
=V
CCqmin
V
CCq
-0.1
-
-
V
4.3 DC Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFH2G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH4G1612M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH4G1612M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH4G16D2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH4G16D2M-DEB6 FLASH MEMORY(54MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFH2G16U2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH-440-10 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述:
KFH-440-12ET 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述:
KFH4405 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
KFH-440-5ET 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述:
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