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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH4G16D2M-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 59/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16D2M-DID5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁當(dāng)前第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
59
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Erase Interrupt (EI)
This is the Erase interrupt bit.
EI Interrupt [5]
Status
Conditions
Default State
Valid
State
Interrupt
Function
Cold
Warm/hot
0
0
0
off
sets itself to ’1’
At the completion of an Erase Operation
(0094h, 0095h, 0030h)
0
→
1
Pending
clears to ’0’
’0’ is written to this bit, or
Cold/Warm/Hot reset is being performed
1
→
0
off
Reset Interrupt (RSTI)
This is the Reset interrupt bit.
RSTI Interrupt [4]
Status
Conditions
Default State
Valid
State
Interrupt
Function
Cold
Warm/hot
0
1
0
off
sets itself to ’1’
At the completion of an Reset Operation
(00B0h, 00F0h, 00F3h or
warm reset is released)
0
→
1
Pending
clears to ’0’
’0’ is written to this bit
1
→
0
off
This Read/Write register shows the NAND Flash block address in the Write Protection mode. Setting this register precedes a 'Lock
Block' command, 'Unlock Block' command, or ’Lock-Tight' Command.
F24Ch, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000000)
SBA
Device
Number of Block
SBA
1Gb
1024
[9:0]
SBA Information[9:0]
Item
Definition
Description
SBA
Start Block Address
Precedes Lock Block, Unlock Block, or Lock-Tight commands
2.8.23 Start Block Address Register F24Ch (R/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GNOFLASHDX1663 FBGA (10X13) - Bulk |
| KFH4G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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