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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFW1G16D2M-DIB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 67/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFW1G16D2M-DIB5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁當(dāng)前第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
67
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
The One NAND has 4 reset modes: Cold/Warm/Hot Reset, and NAND Flash Array Reset. Section 3.3 discusses the operation of
these reset modes.
The Register Reset Table shows the which registers are affected by the various types or Reset operations.
Internal Register Reset Table
NOTE:
1) RDYpol, INTpol, IOBE is reset by Cold reset. The other bits are reset by Cold/Warm/Hot reset.
2) ECC Status Register & ECC Result Registers are reset when any command is issued.
3) Refer to Device ID Register F001h.
Internal Registers
Default Cold Reset
Warm Reset
(RP)
Hot
Reset
(00F3h)
Hot
Reset
(BP-F0)
NAND Flash
Core Reset
(00F0h)
F000h
Manufacturer ID Register (R)
00ECh
N/A
N/A
N/A
N/A
F001h
Device ID Register (R): OneNAND
(Note 3)
N/A
N/A
N/A
N/A
F002h
Version ID Register (R): N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
F003h
Data Buffer size Register (R)
0800h
N/A
N/A
N/A
N/A
F004h
Boot Buffer size Register (R)
0200h
N/A
N/A
N/A
N/A
F005h
Amount of Buffers Register (R)
0201h
N/A
N/A
N/A
N/A
F006h
Technology Register (R)
0000h
N/A
N/A
N/A
N/A
F100h
Start Address1 Register (R/W): FBA
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F101h
Start Address2 Register (R/W): DBS
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F102h
Start Address3 Register (R/W): FCBA
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F103h
Start Address4 Register (R/W): FCPA, FCSA
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F107h
Start Address8 Register (R/W): FPA, FSA
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F200h
Start Buffer Register (R/W): BSA, BSC
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F220h
Command Register (R/W)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F221h
System Configuration 1 Register (R/W)
40C0h
40C0h
(Note1)
(Note1)
N/A
F240h
Controller Status Register (R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
F241h
Interrupt Status Register (R/W)
-
8080h
8010h
8010h
N/A
F24Ch
Start Block Address (R/W)
0000h
0000h
0000h
N/A
N/A
F24Dh
End Block Address: N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
F24Eh
NAND Flash Write Protection Status (R)
0002h
0002h
0002h
N/A
N/A
FF00h
ECC Status Register (R) (Note2)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF01h
ECC Result of Sector 0 Main area data Register(R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF02h
ECC Result of Sector 0 Spare area data Register (R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF03h
ECC Result of Sector 1 Main area data Register(R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF04h
ECC Result of Sector 1 Spare area data Register (R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF05h
ECC Result of Sector 2 Main area data Register(R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF06h
ECC Result of Sector 2 Spare area data Register (R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF07h
ECC Result of Sector 3 Main area data Register(R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
FF08h
ECC Result of Sector 3 Spare area data Register (R)
0000h
0000h
0000h
0000h
N/A
3.3 Reset Mode Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFW1G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16Q2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DEB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFW1G16D2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz) |
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