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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416L8031BT-G(L)0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的規(guī)范版本1.0 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 53/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | KM416L8031BT-G(L)0 |
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- 53 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
QFC timing example for interrupted Writes operation
DQS
DQ’S
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
QFC
t
QCSW
Dout 0 Dout 1
BL = 8
Write
Command
CK
CK
Figure 29. : QFC timing example for Interrupted writes operation
t
QCHWI max
Precharge
Dout 2 Dout 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44L32031BT-G(L)Y | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM48S2020C | 1M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(1M x 8位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM48S8020B | 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM48S8030D | 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S8030 | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416L8031BT-GLZ/Y/0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM416RD16AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD16AD | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD16C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD16D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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