參數(shù)資料
型號: KM41V16000C
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
中文描述: 1,600 x1Bit的CMOS動態(tài)隨機存儲器的快速頁面模式(1,600 x1位的CMOS動態(tài)隨機存儲器(帶快速頁模式))
文件頁數(shù): 10/19頁
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代理商: KM41V16000C
CMOS DRAM
KM41C16000C, KM41V16000C
t
WCS
WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
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相關PDF資料
PDF描述
KM41C4000D 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM4200IC8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8TR3 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IM8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KM41V4000D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM4200 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8 功能描述:高速運算放大器 SOIC-8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
KM4200IC8TR3 功能描述:運算放大器 - 運放 Dual RRO amplifier 26Mhz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流(最大值):10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
KM4200IC8TR3_NL 功能描述:高速運算放大器 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube