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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM41V16000C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
| 中文描述： | 1,600 x1Bit的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式（1,600 x1位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶快速頁(yè)模式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/19頁(yè) |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | KM41V16000C |
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CMOS DRAM
KM41C16000C, KM41V16000C
*Note :
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
and I
CC6
are dependent on output loading and cycle rates. Specified values are obtained with the output open.
I
CC
is specified as an average current. In I
CC1
, I
CC3
and I
CC6
address can be changed maximum once while RAS=V
IL
. In I
CC4
,
address can be changed maximum once within one fast page mode cycle time, t
PC
.
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Continued)
I
CC1
* : Operating Current (RAS and CAS cycling @t
RC
=min.)
I
CC2
: Standby Current (RAS=CAS=W=V
IH
)
I
CC3
* : RAS-only Refresh Current (CAS=V
IH
, RAS cycling @t
RC
=min.)
I
CC4
* : Fast Page Mode Current (RAS=V
IL
, CAS, Address cycling @t
PC
=min.)
I
CC5
: Standby Current (RAS=CAS=W=V
CC
-0.2V)
I
CC6
* : CAS-Before-RAS Refresh Current (RAS and CAS cycling @t
RC
=min.)
I
CC7
: Battery back-up current, Average power supply current, Battery back-up mode
Input high voltage(V
IH
)=V
CC
-0.2V, Input low voltage(V
IL
)=0.2V, CAS=0.2V,
DQ=Don
′
t care, T
RC
=31.25us(L-ver), T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
: Self Refresh Current
RAS=CAS=0.2V, W=A0 ~ A11=V
CC
-0.2V or 0.2V,
D, Q=V
CC
-0.2V, 0.2V or Open
Symbol
Power
Speed
Max
Units
KM41V16000C
90
80
1
1
90
80
90
80
0.5
200
90
80
200
150
KM41C16000C
90
80
2
1
100
90
90
80
1
250
100
90
300
250
I
CC1
Don
′
t care
-5
-6
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
uA
uA
I
CC2
Normal
L
Don
′
t care
I
CC3
Don
′
t care
-5
-6
-5
-6
I
CC4
Don
′
t care
I
CC5
Normal
L
Don
′
t care
I
CC6
Don
′
t care
-5
-6
I
CC7
I
CCS
L
L
Don
′
t care
Don
′
t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM41C4000D | 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
| KM4200IC8 | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier |
| KM4200IC8TR3 | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier |
| KM4200 | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier |
| KM4200IM8 | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM41V4000D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| KM4200IC8 | 功能描述:高速運(yùn)算放大器 SOIC-8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| KM4200IC8TR3 | 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Dual RRO amplifier 26Mhz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
| KM4200IC8TR3_NL | 功能描述:高速運(yùn)算放大器 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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