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參數(shù)資料
| 型號： | KM432S2030C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 32/43頁 |
| 文件大小： | 1161K |
| 代理商： | KM432S2030C |
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KM432S2030C
REV. 1.1 Mar. '99
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
CMOS SDRAM
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
RAa
Row Active
(A-Bank)
Write
(D-Bank)
Precharge
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. t
CDL
should be met to complete write.
Read
(A-Bank)
RAa
CDb
RBc
*Note 1
tCDL
RDb
CAa
RAc
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
CBc
RBb
BA
0
BA
1
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
DDb0
DDb1 DDb2 DDb3
DDb0
DDb1 DDb2 DDb3
QBc0
QBc1
QBc2
QBc0
QBc1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM432S2030CT-F6 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F7 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F8 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-G10 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-G6 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM432S2030CT-F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CTG10 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
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