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參數(shù)資料
| 型號： | KM616U4010C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 256Kx16位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM（256K × 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | KM616U4010C |
KM616U4010C Family
CMOS SRAM
Revision 0.01
August 1998
7
Preliminary
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
CS
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