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參數(shù)資料
| 型號： | KM616U4010C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 256Kx16位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM（256K × 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | KM616U4010C |
KM616U4010C Family
CMOS SRAM
Revision 0.01
August 1998
9
Preliminary
PACKAGE DIMENSIONS
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
C
B/2
C
B
B1
C
Ball #A1
B
B/2
Elastomer
SRAM Die
C
Ball #A1
C
Bottom View
Top View
D
E
E
E
C
Detail A
Side View
0
0
0
A
Y
Elastomer
0.3/Typ.
Die
Detail A
Notes.
1. Bump counts: 48(8row x 6column)
2. Bump pitch : (x,y)=(0.75 x 0.75)(typ.)
3. All tolerence are +/-0.050 unless
otherwise specified.
4. Typ : Typical
5. Y is coplanarity: 0.08(Max)
Min
Typ
Max
A
-
0.75
-
B
6.00
6.10
6.20
B1
-
3.75
-
C
8.80
8.90
9.00
C1
-
5.25
-
D
0.30
0.35
0.40
E
-
0.93
0.94
E1
-
0.68
-
E2
-
0.25
-
Y
-
-
0.08
Units : millimeter
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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