參數(shù)資料
型號(hào)： KM68V512B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(64K x8位高速CMOS 靜態(tài) RAM)
中文描述： 64Kx8位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM（64K的x8位高速的CMOS靜態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 158K
代理商： KM68V512B
KM68V512B, KM68U512B Family
CMOS SRAM
Advance
Revision 0.0
November 1997
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
WC
t
AW
t
AS(3)
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM68V1000B 128K x8 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(128K x 8位低功耗和低電壓CMOS 靜態(tài) RAM)
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