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參數(shù)資料
| 型號： | KM736FV4011 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Kx36 Synchronous SRAM(128Kx36位同步靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 128K × 36至同步SRAM（128K × 36至位同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | KM736FV4011 |
PRELIMINARY
Rev 0.2
Dec. 1997
KM718FV4011
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
- 13 -
KM736FV4011
119 BGA PACKAGE DIMENSIONS
119 BGA PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Junction to Ambient(at air flow of 1m/sec)
Theta_JA
-
-
17
°
C/W
°
C/W
°
C/W
Junction to Case
Theta_JC
-
-
4
Junction to Solder Ball
Theta_JB
-
-
10
0.750
±
0.15
1.27
1.27
12.50
±
0.10
0.60
±
0.10
0.60
±
0.10
1.50REF
C1.00
C0.70
14.00
±
0.10
22.00
±
0.10
20.50
±
0.10
NOTE
:
1. All Dimensions are in Millimeters.
2. Solder Ball to PCB Offset : 0.10 MAX.
3. PCB to Cavity Offset : 0.10 MAX.
Indicator of
Ball(1A) Location
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM718FV4021 | 256Kx18 Synchronous SRAM(256Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| KM736FV4021 | 128Kx36 Synchronous SRAM(128Kx36位同步靜態(tài) RAM) |
| KM718FV4022 | 256Kx18 Synchronous SRAM(256Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| KM736FV4022 | 128Kx36 Synchronous SRAM(128Kx36位同步靜態(tài) RAM) |
| KM718V089 | 512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM736FV4021 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM736FV4021H-5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM736FV4021H-6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM736FV4021H-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM736N | 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:10mm Adjustable Shielded RF Coil (I) |
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