- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373163 > KM736S849 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256Kx36 Synchronous SRAM(256Kx36位同步靜態(tài) RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM736S849 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx36 Synchronous SRAM(256Kx36位同步靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 256Kx36同步SRAM（256Kx36位同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/17頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | KM736S849 |
PRELIMINARY
KM736S849
KM718S949
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 6 -
Rev 0.5
Aug. 1998
STATE DIAGRAM FOR N
t
RAM
TM
BEGIN
WRITE
BURST
WRITE
BEGIN
READ
WRITE
DS
READ
DS
BURST
READ
WRITE
DS
READ
DS
READ
D
WRTE
B
DESELECT
B
R
B
W
READ
WRITE
BURST
BURST
COMMAND
ACTION
DS
DESELECT
READ
BEGIN READ
WRITE
BEGIN WRITE
BURST
BEGIN READ
BEGIN WRITE
CONTINUE DESELECT
NOTE
1. An IGNORE CLOCK EDGE cycle is not shown is the above diagram. This is because CKE HIGH only blocks the clock(CLK) input and does not
change the state of the device.
2. States change on the rising edge of the clock(CLK)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM718S949 | 512Kx18 Synchronous SRAM(512Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| KM736V687-10 | x36 Fast Synchronous SRAM |
| KM736V687-8 | x36 Fast Synchronous SRAM |
| KM736V687-9 | x36 Fast Synchronous SRAM |
| KM736V687 | 64Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM, 3.3V Power Datasheets for 100TQFP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM736V687 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM, 3.3V Power Datasheets for 100TQFP |
| KM736V687-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| KM736V687-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| KM736V687-9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| KM736V687A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Kx36 Synchronous SRAM |
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