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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5322104CKU |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 32使用2Mx8 DRAM的上海藥物研究所和2K刷新，5V的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | KMM5322104CKU |
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DRAM MODULE
KMM5322104CKU/CKUG
PACKAGE DIMENSIONS
.133(3.38)
4.250(107.95)
3.984(101.19)
.125(3.17)
MIN
R.062
±
.004(R1.57
±
.10)
.250(6.35)
3.750(95.25)
.250(6.35)
Units : Inches (millimeters)
Gold & Solder Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
.041
±
.004(1.04
±
.10)
.100(2.54)
MIN
.200(5.08)
MAX
.054(1.37)
.047(1.19)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
NOTE : The used device is 2Mx8 DRAM
DRAM Part No. : KMM5322104CKU/CKUG -- KM48C2104CK (300mil)
1.00(24.50)
.400(10.16)
.125 DIA
±
.002(3.18
±
.051)
R.062(1.57)
.250(6.35)
.080(2.03)
( Back view )
( Front view )
Revision History
Rev 0.0 : Aug.
1997.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5322104CKUG | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
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| KMM5322200C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5322104CKUG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
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