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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5322104CKU |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 32使用2Mx8 DRAM的上海藥物研究所和2K刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | KMM5322104CKU |
DRAM MODULE
KMM5322104CKU/CKUG
t
WCS
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
RAS
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DATA-IN
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KMM5322200C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5322104CKUG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
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