- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373166 > KMM5322104CKUG (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMM5322104CKUG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 32使用2Mx8 DRAM的上海藥物研究所和2K刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | KMM5322104CKUG |
DRAM MODULE
KMM5322104CKU/CKUG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W
A0-A10
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A0-A10
W
U0
U1
U2
U3
W
A0-A10
W
A0-A10
W
A0-A10
DQ24-DQ31
DQ16-DQ23
DQ8-DQ15
DQ0-DQ7
RAS0
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS
CAS
OE
RAS
CAS
OE
RAS
CAS
OE
RAS
CAS
OE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5322200C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM53232000BK | 32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5322200C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
| KMM532256CV-08 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。