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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53232004CKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 32M的× 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/19頁 |
| 文件大小： | 420K |
| 代理商： | KMM53232004CKG |
DRAM MODULE
KMM53232004BK/BKG
t
WCS
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
RAS
V
IH
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IL
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A
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DATA-IN
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KMM5361203C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KMM5324000BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
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