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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM53232004BV |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 32M的內(nèi)存上海藥物研究所× 32（32兆× 32動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 1/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 400K |
| 代理商： | KMM53232004BV |
DRAM MODULE
KMM53232004BV/BVG
Revision History
Version 0.0 (Sept. 1997)
Removed two AC parameters t
CACP
(access time from CAS) and t
AAP
(access time from col. addr.) in
AC CHARACTERISTICS
.
Version 0.1 (June 1998)
The 3rd. generation of 64M DRAM components are applied for this module.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5324000BSW | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM5324004BSW | 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM5328004BSW | 8M x 32 DRAM SIMM(8M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
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| KMM5361205C2W | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53232004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232004CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
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