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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5328004BSW |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM(8M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所（8米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 2/19頁 |
| 文件大小： | 387K |
| 代理商： | KMM5328004BSW |
DRAM MODULE
KMM5328004BSW/BSWG
CAS3
CAS2
CAS1
CAS0
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W A0-A11
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
W
A0-A11
LCAS
UCAS
OE
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W A0-A11
U2
LCAS
UCAS
OE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ27 - DQ34
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U3
LCAS
UCAS
OE
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U5
LCAS
UCAS
OE
W A0-A11
W A0-A11
DQ18 - DQ25
DQ0 - DQ7
DQ9 - DQ16
RAS0/RAS2
47
47
47
47
RAS1/RAS3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5361203C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM53632000BK | 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53632000CK | 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5328004BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328100CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5328100CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
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