參數(shù)資料
型號(hào): KMM53632000BK
廠(chǎng)商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
中文描述: 32M的× 36的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4
文件頁(yè)數(shù): 2/18頁(yè)
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代理商: KMM53632000BK
DRAM MODULE
KMM53632000BK/BKG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS0
RAS0
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U1
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U3
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U4
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U6
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U7
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U9
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U10
To all DRAMs
CAS1
CAS2
RAS2
CAS3
W
A0-A11
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS0
RAS1
U12
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U13
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U15
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U16
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U18
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U19
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U21
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U22
CAS1
CAS2
RAS3
CAS3
DQ0~DQ3
DQ4~DQ7
DQ9~DQ12
DQ13~DQ16
DQ18~DQ21
DQ22~DQ25
DQ27~DQ30
DQ31~DQ34
CAS
RAS
DQ8
D
Q
W A0-A11
U2
CAS
RAS
D
Q
W A0-A11
U14
CAS
RAS
DQ17
D
Q
W A0-A11
U5
CAS
RAS
D
Q
W A0-A11
U17
CAS
RAS
DQ26
D
Q
W A0-A11
U8
CAS
RAS
D
Q
W A0-A11
U20
CAS
RAS
DQ35
D
Q
W A0-A11
U11
CAS
RAS
D
Q
W A0-A11
U23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM53632000CK 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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KMM53632000CKG 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632004BK 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1 4K Refresh, 5V
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參數(shù)描述
KMM53632000BKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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