- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373167 > KMM53632004CKG (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1 4K Refresh, 5V PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMM53632004CKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 32M的× 36的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4 |
| 文件頁數(shù)： | 7/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 434K |
| 代理商： | KMM53632004CKG |
DRAM MODULE
KMM53632004BK/BKG
t
WCS
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
RAS
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
Don
′
t care
Undefined
t
WCH
t
WP
CAS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
DATA-IN
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5364005BSWG | 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5364005CSWG | 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5364005CK | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V |
| KMM5364005CSW | 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5364005CKG | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5364003BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5364003BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5364003CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5364003CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5364003CSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。