參數(shù)資料
型號: KSD1020
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Audio Frequency Amplifier
中文描述: 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92S, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 39K
代理商: KSD1020
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. B2, April 2004
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Current Gain-Bandwidth Product
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
B
= 140
μ
A
I
B
= 120
μ
A
I
B
= 100
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 40
μ
A
I
B
= 60
μ
A
I
B
= 20
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
V
CE
= 1V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
10000
10
100
1000
10000
I
C
=10I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
V
CE
= 6V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD1021 FERRITE BEAD 80 OHM 200MA 0603
KSD1362 B/W TV Horizontal Deflection Output
KSD1406 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD1408 Power Amplifier Applications
KSD1413 Power Amplifier Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD1020GBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020GTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020OBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020OTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2