參數(shù)資料
型號： KSE2955
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： General Purpose and Switching Applications
中文描述： 通用和交換應用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： KSE2955
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A1, December 2000
Typical Characteristic
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Power Derating
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
V
CE
= -2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
10
μ
s
5ms
1ms
DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
15
30
45
60
75
90
105
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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KSE2955TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE3055T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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